机译:10纳米以下技术节点的多层石墨烯互连的技术/电路/系统协同优化和基准测试
School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA;
Capacitance; Copper; Delays; Graphene; Integrated circuit interconnections; Resistance; Wires; 32-bit adder; ARM core; delay; energy-delay product (EDP); multilayer graphene interconnect; performance; performance.;
机译:考虑基本算术电路的III-V TFET技术平台针对10-nm CMOS FinFET技术节点的基准测试
机译:未来技术节点的铜/低-k $互连技术设计和基准测试
机译:使用多种图案化技术对低于10纳米技术节点处互连网络的系统级变化分析
机译:低于10nm技术节点的石墨烯互连的技术/电路协同优化和基准测试
机译:用于路线图终点半导体技术节点的碳纳米管互连。
机译:用于超大规模技术节点的基于2D材料的FET的材料-设备-电路共同优化
机译:用于超大规模技术节点的基于2D材料的FET的材料-设备-电路共同优化
机译:集成电路的综合表面贴装技术解决方案,适用于柔性丝网印刷电气互连