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李炳宗;
VLSI; ULSI; 集成电路; 多层金属互连;
机译:硅集成电路互连技术的几何线宽和热处理对化学镀铜金属化引起的应力状态的影响
机译:使用具有多层金属结构的新型立柱形成方法的平面互连技术
机译:多层互连技术中钨金属化的实现
机译:CMOS Ulsi的金属互连技术
机译:用于VLSI系统的LPCVD钨多层金属化。
机译:具有无通孔多层金属互连的高度堆叠3D有机集成电路
机译:开发用于测量VLsI和ULsI集成电路半导体多层膜厚度的XRmF技术。 CRaDa编号Y-1292-0130的最终CRaDa报告
机译:适用于高性能集成电路的低RC多层互连技术
机译:超大型集成电路(ULSI)铜多层互连结构制造过程中与化学机械平面化(CMP)相关的菜品控制问题的方法
机译:VLSI多层金属化系统中高介电常数金属绝缘体金属电容器的工艺
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