含接地层的薄隐埋层超薄SOI器件特性研究

摘要

本文研究了具有薄隐埋层的超薄体 SOI 器件，讨论了超薄体 SOI 器件以及减小隐埋层有利于器件短沟道特性的改善。在此基础上通过使用 medici 软件仿真，进一步得到结论，通过添加接地层(GP)，有利于抑制漏致势垒变低效应对器件特性的影响。并借助仿真分析了不同结构的 GP SOI 器件特性上的区别。