机译:背栅偏置应力对极薄SoI(ETSoI)MOSFET器件特性的影响
Extremely thin SOI (ETSOI); back gate bias (BGB); drain induced barrier lowing (DIBL); $({rm S}_{rm t})$" role="link" tabindex="0"sub-threshold swing $({rm S}_{rm t})$;
机译:超薄SOI(ETSOI)MOSFET可扩展至20nm以下栅极长度
机译:Hf-Ti-O薄膜作为高k栅介质的研究及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:超薄Hf-Ti-O高
机译:具有栅极最后工艺集成的超薄SOI(ETSOI)MOSFET的背栅偏置应力
机译:具有氮化钽栅电极的氮氧化ha MOSFET的材料和器件特性的研究
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
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