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用于形成ETSOI电容器、二极管、电阻器和背栅接触部的方法和结构

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通过在替换栅极HK/MG(80,85)流程中经由ETSOI(20)层和BOX(15)层进行蚀刻来在晶体管和电容器区域中分别形成ETSOI晶体管以及电容器、结合二极管、背端接触部和电阻器的组合。电容器和其它器件的形成与ETSOI替换栅极CMOS流程兼容。低电阻的电容器电极使得可以获得高质量的电容器和器件。通过光刻与伴随有的适当蚀刻相结合来实现在伪栅极(27)图案化期间不存在形貌。

著录项

公开/公告号CN104025298A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-09-03

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN201280061138.1
发明设计人程慷果;T·N·亚当;A·克哈基弗尔鲁茨;A·雷茨尼采克;
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申请日2012-08-07
分类号H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);H01L27/12(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人李玲
地址美国纽约
入库时间 2023-12-17 02:14:13

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-24

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L29/78 授权公告日:20170308 终止日期:20190807 申请日:20120807

专利权的终止
2017-12-01

专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/78 登记生效日:20171113 变更前: 变更后: 申请日:20120807

专利申请权、专利权的转移
2017-03-08

授权

授权
2014-10-08

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20120807

实质审查的生效
2014-09-03

公开

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1. 用于形成ETSOI电容器、二极管、电阻器和背栅接触部的方法和结构 [P] . 中国专利： CN104025298B . 2017.03.08
2. 用于形成ETSOI电容器、二极管、电阻器和背栅接触部的方法和结构 [P] . 中国专利： CN104025298A . 2014-09-03
3. Method and structure for forming ETSOI capacitors, diodes, resistors and back-gate contacts [P] . 德国专利： DE112012004824B4 . 2019-04-04

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