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谢文轩;
华中科技大学;
栅介质; MoS2; 晶体管; 迁移率;
机译:通过NH3-等离子体处理高k栅极电介质来改善背栅MoS2晶体管的性能
机译:通过大面积,无转移生长具有高电子迁移率的几层MoS2制成的背栅FET
机译:SiO_2 /高k栅堆叠电介质的对称双栅无结晶体管的直接隧穿栅电流模型
机译:具有高K栅极电介质和按比例缩放的栅-漏/栅-源分隔的超薄体平面InGaAs量子阱场效应晶体管中3-D三栅的静电改善
机译:栅长短的栅凹氮化镓高电子迁移率晶体管。
机译:高κ氧化物纳米带作为高迁移率顶栅石墨烯晶体管的栅极电介质
机译:含有和不含超导栅电极的砷化铝镓/砷化镓高电迁移率晶体管噪声性能的比较研究
机译:用于MOSFET的半导体结构,具有与n型双栅晶体管的背栅的一部分和p型双栅晶体管的背栅的一部分相接触的单阱,其中栅极被相同的掺杂剂掺杂。
机译:静态RAM的读出放大器具有连接到节点的双栅晶体管,因此其背栅被施加预定电压,从而当双栅晶体管处于导通状态时其电压阈值减小
机译:金属栅MOS晶体管及形成具有减小的栅-源和栅-漏重叠电容的晶体管的方法
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