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王伟; 孙建平; 顾宁;
东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室;
美国密西根大学电气工程和计算机科学系;
高k; 栅电流; 量子模型;
机译:结合速度饱和的纳米级双栅和栅栅MOSFET的统一漏极电流模型
机译:高介电常数/堆叠电介质的对称双栅MOSFET的栅漏电流研究
机译:SiO_2 /高k栅堆叠电介质的对称双栅无结晶体管的直接隧穿栅电流模型
机译:非对称栅氧化层厚度技术可降低纳米级单栅SOI MOSFET的栅感应漏电流
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:高κ氧化物纳米带作为高迁移率顶栅石墨烯晶体管的栅极电介质
机译:低压氧化氮化物氧化物栅介质的辐射效应
机译:在MOSFET的高k /氧化物堆叠栅电介质中形成超薄基础氧化物的方法
机译:-利用MOSFET中的栅诱导漏极漏电流来控制栅氧化损伤的局部热退火方法
机译:减少薄栅氧化物MOSFET中的栅感应漏极泄漏电流的方法和装置
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