Band To Band Tunnelling (BTBT); DRAM cells; Gate Induced Drain Leakage(GIDL);
机译:UTB SOI MOSFET中背栅对栅极感应的漏极泄漏和栅极电流的影响的建模
机译:一种新颖的双偏置注入源极/漏极技术,可通过0.12- / splμm/ m单栅极低功耗SRAM器件来减少栅极感应的漏极泄漏
机译:通过栅极感应的漏极电流瞬态分析薄栅氧化物FD-SOI n-MOSFET的载流子寿命
机译:浅栅极氧化物厚度技术,用于减少纳米级别栅极SOI MOSFET中的栅极感应漏极漏电流
机译:独立双栅极SOI MOSFET晶体管泄漏电流的仿真分析。
机译:栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱
机译:漏极感应屏障降低和顶/底栅氧化物厚度在不对称连接双闸门MOSFET中的关系
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响