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王栋; 周爱榕; 高珊;
安徽大学电子信息工程学院;
复合型栅氧化层; 复合型栅氧化层薄膜双栅金属氧化物半导体场效应晶体管; 介电常数; 阈值电压; 电流模型; 亚阈值斜率; 短沟道效应;
机译:具有双材料底栅的高k栅叠层双材料三栅极应变无硅MOSFET的3-D解析模型,可抑制短沟道效应
机译:具有双材料栅叠层的纳米级无结双栅MOSFET的亚阈值行为模型
机译:用HFO_2 / LA_2O_3 / HFO_2(HLH)三明治栅电介质的双栅双极 - 层(DG-DAL)薄膜晶体管(TFT)电性能研究
机译:非对称栅氧化层厚度技术可降低纳米级单栅SOI MOSFET的栅感应漏电流
机译:氮结合的氧化f栅介电薄膜和钛基金属栅电极用于双栅应用。
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:通过3D TCAD仿真研究了基于连接的单栅SOI MOSFET的连接型单栅SOI MOSFET的SEU敏感性
机译:Hrtem图像模拟栅氧化层中的结构缺陷。
机译:具有HV输入级的集成电路-在具有绝缘栅电极的衬底上具有开关MOSFET,绝缘栅电极的栅氧化层的厚度与场氧化层的厚度相同
机译:用于MOSFET的半导体结构,具有与n型双栅晶体管的背栅的一部分和p型双栅晶体管的背栅的一部分相接触的单阱,其中栅极被相同的掺杂剂掺杂。
机译:填充半导体晶片上的栅电极层中的开口包括:在晶片上生长栅氧化物层;在栅氧化物层上产生栅电极层;限定开口区域;以及进一步处理
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