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一种沟槽转角处具有厚栅氧化层的SiC-MOSFET栅的制备方法

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摘要

一种沟槽转角处具有厚栅氧化层的SiC‑MOSFET栅的制备方法，步骤为：1在外延层上表面刻蚀形成沟槽；2在外延层上表面和沟槽内壁生长多晶硅或非晶硅；3沉积完全覆盖外延层上表面并填充满沟槽的SiO

1. 一种沟槽转角处具有厚栅氧化层的SiC-MOSFET栅的制备方法 [P] . 中国专利： CN111489963A . 2020-08-04
2. 具有底部厚氧化层的沟槽栅MOS结构 [P] . 中国专利： CN210926025U . 2020.07.03
3. TRENCH MOSFET WITH TRENCHED FLOATING GATES HAVING THICK TRENCH BOTTOM OXIDE AS TERMINATION [P] . 美国专利： US2013307066A1 . 2013-11-21

机译：带沟槽浮栅的沟槽MOSFET具有厚的沟槽底部氧化层作为终端
4. TRENCH MOSFET WITH TRENCHED FLOATING GATES HAVING THICK TRENCH BOTTOM OXIDE AS TERMINATION [P] . 美国专利： US2013330892A1 . 2013-12-12

机译：带沟槽浮栅的沟槽MOSFET具有厚的沟槽底部氧化层作为终端
5. TRENCH MOSFET WITH TRENCHED FLOATING GATES HAVING THICK TRENCH BOTTOM OXIDE AS TERMINATION [P] . 美国专利： US2011316075A1 . 2011-12-29

机译：带沟槽浮栅的沟槽MOSFET具有厚的沟槽底部氧化层作为终端