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【2h】

Diode and MOSFET Properties of Trench-Gate-Type Super-Barrier Rectifier with P-Body Implantation Condition for Power System Application

机译：具有P-Body Instantation条件的沟槽栅型超级屏障整流器的二极管和MOSFET性能，用于电力系统应用

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Jong Il Won; Kun Sik Park; Doo Hyung Cho; Jin Gun Koo; Sang Gi Kim; Jin Ho Lee;
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年度 2016
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