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五氧化二钽高K薄膜作为MOSFET绝缘栅研究

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摘要

本文综述了MOSFET栅介质的最新研究状况.介绍了Ta2O5高K薄膜材料作为MOSFET栅氧化物在现阶段主要的制备技术和进展.电学性能是今后研究应关注的主要方面.最后展望了其在MOSFET绝缘栅的研究前景.

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来源
《电子质量》 |2007年第4期|1-3|共3页
作者
张幸福; 魏爱香;
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作者单位

广东工业大学材料与能源学院,广州,510006;

广东工业大学材料与能源学院,广州,510006;

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正文语种 chi
中图分类理论;
关键词
微电子技术; MOSFET栅介质; 五氧化二钽; 高K; 电学特性;

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