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Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International
Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International
召开年:
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San Francisco, CA
出版时间:
-
会议文集:
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1.
A novel 4.6F2 NOR cell technology with lightly dopedsource (LDS) junction for high density flash memories
机译:
轻掺杂的新型4.6F 2 sup> NOR电池技术源(LDS)结用于高密度闪存
作者:
Jonghan Kim
;
Jeong-Hyuk Choi
;
Yong-Ju Choi
;
Hun-Kyu Lee
;
Kyeong-Tae Kim
;
Yun-Seung Shin
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
2.
Real time on-chip characterization of time delay arising frommulti-level-metallization: decoupling of pure charging anddrift-and-charging
机译:
芯片上的实时延迟表征多级金属化:纯电荷和金属的去耦漂移充电
作者:
Hi-Deok Lee
;
Myoung-Jun Jang
;
Dae-Gwan Kang
;
Young-Jong Lee
;
Jeong-Mo Hwang
;
Dae-Mann Kim
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
3.
Structural dependence of dielectric breakdown in ultra-thin gateoxides and its relationship to soft breakdown modes and device failure
机译:
超薄栅极中介电击穿的结构依赖性氧化物及其与软击穿模式和器件故障的关系
作者:
Wu E.
;
Nowak E.
;
Aitken J.
;
Abadeer W.
;
Han L.K.
;
Lo S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
4.
Direct detecting of dynamic floating-body effects in SOI circuitsby backside electron beam testing
机译:
直接检测SOI电路中的动态浮体效应通过背面电子束测试
作者:
Yoshida E.
;
Koyama T.
;
Maeda S.
;
Yamaguchi Y.
;
Komori J.
;
Mashiko Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
5.
Room temperature single electron effects in Si quantum dot memorywith oxide-nitride tunneling dielectrics
机译:
硅量子点存储器中的室温单电子效应带有氧化物-氮化物隧穿电介质
作者:
Ilgweon Kim
;
Sangyeon Han
;
Hyungsik Kim
;
Jongho Lee
;
Bumho Choi
;
Sungwoo Hwang
;
Doyeol Ahn
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
6.
MOS memory using germanium nanocrystals formed by thermal oxidationof Si
1-x
Ge
x
机译:
使用通过热氧化形成的锗纳米晶体的MOS存储器Si
1-x sub> Ge
x sub>的数量
作者:
Ya-Chin King
;
Tsu-Jae King
;
Chenming Hu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
7.
MetamorphicIn
x
Al
1-x
As/In
x
Ga
1-x
As HEMTson GaAs substrate: the influence of In composition
机译:
变质的In
x sub> Al
1-x sub> As / In
x sub> Ga
1-x sub> As HEMT在GaAs衬底上:In组成的影响
作者:
Bollaert S.
;
Cordier Y.
;
Happy H.
;
Zaknoune M.
;
Hoel V.
;
Lepilliet S.
;
Cappy A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
8.
High-performance sub-0.08 μm CMOS with dual gate oxide and 9.7ps inverter delay
机译:
具有双栅极氧化物和9.7的高性能0.08μm以下CMOSps逆变器延迟
作者:
Hargrove M.
;
Crowder S.
;
Nowak E.
;
Logan R.
;
Han L.K.
;
Ng H.
;
Ray A.
;
Sinitsky D.
;
Smeys P.
;
Guarin F.
;
Oberschmidt J.
;
Crabbe E.
;
Yee D.
;
Su L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
9.
Straddle-gate transistor: changing MOSFET channel length betweenoff- and on-state towards achieving tunneling-defined limit offield-effect
机译:
跨栅晶体管:改变MOSFET之间的沟道长度断开和接通状态,以实现隧道定义的极限场效应
作者:
Tiwari S.
;
Welser J.J.
;
Solomon P.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
10.
Optimization guidelines for epitaxial collectors of advanced BJT'swith improved breakdown voltage and speed
机译:
先进BJT外延收集器的优化准则改善了击穿电压和速度
作者:
Palestri P.
;
Fiegna C.
;
Selmi L.
;
Hurkx G.A.M.
;
Slotboom J.W.
;
Sangiorgi E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
11.
(Ba,Sr)TiO
3
capacitor technology for Gbit-scale DRAMs
机译:
用于千兆位DRAM的(Ba,Sr)TiO
3 sub>电容器技术
作者:
Ono K.
;
Horikawa T.
;
Shibano T.
;
Mikami N.
;
Kuroiwa T.
;
Kawahara T.
;
Matsuno S.
;
Uchikawa F.
;
Satoh S.
;
Abe H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
12.
Sputtering process design of PZT capacitors for stable FeRAMoperation
机译:
稳定FeRAM的PZT电容器的溅射工艺设计操作
作者:
Inoue N.
;
Takeuchi T.
;
Hayashi Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
13.
Achieving high microprocessor manufacturing output-the CopyExactly! method
机译:
实现高微处理器制造产量究竟!方法
作者:
Gasser R.A. Jr.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
14.
High performance pMOSFET with BF
3
plasma dopedgate/source/drain and S/D extension
机译:
BF
3 sub>等离子掺杂的高性能pMOSFET栅极/源极/漏极和S / D扩展
作者:
Ha J.M.
;
Park J.W.
;
Kim W.S.
;
Kikm S.P.
;
Song W.S.
;
Kim H.S.
;
Song H.J.
;
Fujihara K.
;
Kang H.K.
;
Lee M.Y.
;
Felch S.
;
Jeong U.
;
Goeckner M.
;
Shim K.H.
;
Kim H.J.
;
Cho H.T.
;
Kim Y.K.
;
Ko D.H.
;
Lee G.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
15.
Improved stability of polysilicon thin-film transistors underself-heating and high endurance EEPROM cells for systems-on-panel
机译:
在以下条件下提高了多晶硅薄膜晶体管的稳定性用于面板上系统的自加热和高耐用性EEPROM单元
作者:
Jin-Woo Lee
;
Nae-In Lee
;
Hoon-Ju Chung
;
Chul-Hi Han
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
16.
Dry etch sequencing induced gate oxide degradation due to metalliccontamination in 0.25 μm CMOS manufacturing
机译:
干法刻蚀顺序导致金属引起的栅氧化层退化0.25μmCMOS制造中的污染
作者:
Hughes J.
;
Perera A.
;
Hernandez I.
;
Sanjay Parihar
;
Karupanna K.
;
Vasek J.
;
Hanna J.
;
Nagy A.
;
Lii T.
;
Reese M.
;
Rose J.
;
Arnold J.
;
Cain J.
;
Mattay S.
;
Porter J.
;
Razumovsky O.
;
Chesnut T.
;
Kaiser A.
;
Poon S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
17.
Radical oxygen (O*) process for highly-reliableSiO
2
with higher film-density and smoother SiO
2
/Siinterface
机译:
自由基氧(O * sup>)工艺高度可靠SiO
2 sub>具有更高的膜密度和更光滑的SiO
2 sub> / Si接口
作者:
Nagamine M.
;
Itoh H.
;
Satake H.
;
Toriumi A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
18.
Gate quality doped high K films for CMOS beyond 100 nm: 3-10 nm Al
2
O
3
with low leakage and low interface states
机译:
超过100 nm的CMOS栅极质量掺杂的高K膜:3-10 nm Al具有低泄漏和低接口状态的
2 sub> O
3 sub>
作者:
Manchanda L.
;
Lee W.H.
;
Bower J.E.
;
Baumann F.H.
;
Brown W.L.
;
Case C.J.
;
Keller R.C.
;
Kim Y.O.
;
Laskowski E.J.
;
Morris M.D.
;
Opila R.L.
;
Silverman P.J.
;
Sorsch T.W.
;
Weber G.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
19.
Device design considerations for double-gate, ground-plane, andsingle-gated ultra-thin SOI MOSFET's at the 25 nm channel lengthgeneration
机译:
双栅极,地平面和25 nm沟道长度的单栅极超薄SOI MOSFET代
作者:
Wong H.-S.P.
;
Frank D.J.
;
Solomon P.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
20.
High performance electrically induced body dynamic threshold SOIMOSFET (EIB-DTMOS) with large body effect and low threshold voltage
机译:
高性能电感应人体动态阈值SOI具有大体效应和低阈值电压的MOSFET(EIB-DTMOS)
作者:
Takamiya M.
;
Hiramoto T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
21.
Room temperature operating infrared (8-12 μm) photodetector withInAs quantum dots in modulation doped heterostructures
机译:
室温工作红外(8-12μm)光电探测器调制掺杂异质结构中的InAs量子点
作者:
Taehee Cho
;
Jong-Wook Kim
;
Jae-Eung Oh
;
Songcheol Hong
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
22.
High-selectivity single-chip spectrometer for operation at visiblewavelengths
机译:
高选择性单芯片光谱仪,可在可见光下操作波长
作者:
Correia J.H.
;
Bartek M.
;
Wolffenbuttel R.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
23.
On-chip spiral inductors with diffused shields using channel-stopimplant
机译:
使用通道停止功能的带扩散屏蔽的片上螺旋电感器注入
作者:
Yoshitomi T.
;
Sugawara Y.
;
Morifuji E.
;
Ohguro T.
;
Kimijima H.
;
Morimoto T.
;
Momose H.S.
;
Katsumata Y.
;
Iwai H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
24.
Remote charge scattering in MOSFETs with ultra-thin gatedielectrics
机译:
具有超薄栅极的MOSFET中的远程电荷散射电介质
作者:
Krishnan M.S.
;
Yee Chia Yeo
;
Qiang Lu
;
Tsu-Jae King
;
Bokor J.
;
Chenming Hu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
25.
Record power added efficiency of bipolar power transistors for lowvoltage wireless applications
机译:
记录双极型功率晶体管的功率附加效率,实现低功耗电压无线应用
作者:
van Rijs F.
;
Visser H.A.
;
Magnee P.H.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
26.
Trends in semiconductor equipment, materials, and processingtechnology
机译:
半导体设备,材料和加工的趋势技术
作者:
Peercy P.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
27.
Modeling of cumulative thermo-mechanical stress (CTMS) produced bythe shallow trench isolation process for 1 Gb DRAM and beyond
机译:
建模产生的累积热机械应力(CTMS)1 Gb DRAM及更高版本的浅沟槽隔离工艺
作者:
Tai-Kyung Kim
;
Do-Hyung Kim
;
Jae-Kwan Park
;
Tai-Su Park
;
Young-Kwan Park
;
Hoong-Joo Lee
;
Kang-Yoon Lee
;
Jeong-Taek Kong
;
Jong-Woo Park
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
28.
Broadly-tunable narrow-linewidth micromachined laser/photodetectorand phototransistor
机译:
宽可调窄线宽微加工激光/光电探测器和光电晶体管
作者:
Sugihwo F.
;
Lin C.-C.
;
Eyres L.A.
;
Fejer M.M.
;
Harris J.S. Jr.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
29.
Transconductance enhancement in deep submicron strained Sin-MOSFETs
机译:
深亚微米应变硅中的跨导增强MOSFET
作者:
Rim K.
;
Hoyt J.L.
;
Gibbons J.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
30.
Process- and geometry-scalable bipolar transistor and transmissionline models for Si and SiGe MMICs in the 5-22 GHz range
机译:
过程和几何可缩放的双极晶体管和传输Si和SiGe MMIC的5-22 GHz范围内的线性模型
作者:
Voinigescu S.P.
;
Marchesan D.
;
Showell J.L.
;
Maliepaard M.C.
;
Cudnoch M.
;
Schumacher M.G.M.
;
Herod M.
;
Walkey D.J.
;
Babcock G.E.
;
Schvan P.
;
Hadaway R.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
31.
Deposition and simulation of refractory barriers into high aspectratio re-entrant features using directional sputtering
机译:
耐火屏障的沉积和高阶模拟定向溅射的比凹角特征
作者:
Smy T.
;
Joshi R.V.
;
Tait N.
;
Dew S.K.
;
Brett M.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
32.
An ultra-low resistance and thermally stable W/pn-poly-Si gate CMOStechnology using Si/TiN buffer layer
机译:
超低电阻且热稳定的W / pn-poly-Si栅极CMOS使用Si / TiN缓冲层的技术
作者:
Wakabayashi H.
;
Yamamoto T.
;
Yoshida K.
;
Soda E.
;
Tokunaga K.
;
Mogami T.
;
Kunio T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
33.
Transistors and tunnel diodes for analog/mixed-signal circuits andembedded memory
机译:
用于模拟/混合信号电路的晶体管和隧道二极管嵌入式存储器
作者:
Seabaugh A.
;
Deng X.
;
Blake T.
;
Brar B.
;
Broekaert T.
;
Lake R.
;
Morris F.
;
Frazier G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
34.
Backside laserprober characterization of thermal effects duringhigh current stress in smart power ESD protection devices
机译:
背面激光可轻松表征热效应智能电源ESD保护设备中的高电流应力
作者:
Furbock C.
;
Seliger N.
;
Pogany D.
;
Litzenberger M.
;
Gornik E.
;
Stecher M.
;
Gosser H.
;
Werner W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
35.
Circuit requirement and integration challenges of thin gatedielectrics for ultra small MOSFETs
机译:
薄栅极的电路要求和集成挑战超小型MOSFET的电介质
作者:
Liu C.T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
36.
Statistical modeling and circuit simulation for design formanufacturing
机译:
统计建模和电路仿真设计制造业
作者:
Smedes T.
;
Emonts P.G.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
37.
The impact of the transient response of organic light emittingdiodes on the design of active matrix OLED displays
机译:
有机发光瞬态响应的影响有源矩阵OLED显示器设计中的二极管
作者:
Dawson R.M.A.
;
Shen Z.
;
Furst D.A.
;
Connor S.
;
Hsu J.
;
Kane M.G.
;
Stewart R.G.
;
Ipri A.
;
King C.N.
;
Green P.J.
;
Flegal R.T.
;
Pearson S.
;
Barrow W.A.
;
Dickey E.
;
Ping K.
;
Robinson S.
;
Tang C.W.
;
Van Slyke S.
;
Chen F.
;
Shi J.
;
Lu M.H.
;
Sturm J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
38.
Scalability of SOI technology into 0.13 μm 1.2 V CMOS generation
机译:
SOI技术可扩展至0.13μm1.2 V CMOS生成
作者:
Leobandung E.
;
Sherony M.
;
Sleight J.
;
Bolam R.
;
Assaderaghi F.
;
Wu S.
;
Schepis D.
;
Ajmera A.
;
Rausch W.
;
Davari B.
;
Shahidi G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
39.
Accurate characterization of electron and hole inversion-layercapacitance and its impact on low voltage operation of scaled MOSFETs
机译:
电子和空穴反型层的准确表征电容及其对比例MOSFET低压运行的影响
作者:
Takagi S.
;
Takayanagi-Takagi M.
;
Toriumi A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
40.
Low-distortion GaAs-based field effect transistors with InGaPchannel layer for high-voltage operation
机译:
具有InGaP的基于GaAs的低失真场效应晶体管高压操作的通道层
作者:
Hara N.
;
Nakasha Y.
;
Kikkawa T.
;
Takahashi H.
;
Joshin K.
;
Watanabe Y.
;
Tanaka H.
;
Takikawa M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
41.
Depletion-mode GaAs MOSFETs with negligible drain current drift andhysteresis
机译:
漏极电流漂移和漏电流可忽略不计的耗尽型GaAs MOSFET磁滞现象
作者:
Wang Y.C.
;
Hong M.
;
Kuo J.M.
;
Mannaerts J.P.
;
Kwo J.
;
Tsai H.S.
;
Krajewski J.J.
;
Chen Y.K.
;
Cho A.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
42.
RC delay reduction of 0.18 μm CMOS technology using lowdielectric constant fluorinated amorphous carbon
机译:
使用低功耗可将RC延迟降低0.18μmCMOS技术介电常数氟化无定形碳
作者:
Matsubara Y.
;
Kishimoto K.
;
Endo K.
;
Iguchi M.
;
Tatsumi T.
;
Gomi H.
;
Horiuchi T.
;
Tzou E.
;
Xi M.
;
Cheng L.Y.
;
Tribula D.
;
Moghadam F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
43.
Analysis of the gate voltage fluctuations in ultra-thin gate oxidesafter soft breakdown
机译:
超薄栅极氧化物的栅极电压波动分析软击穿后
作者:
Houssa M.
;
Vandewalle N.
;
Nigam T.
;
Ausloos M.
;
Mertens P.W.
;
Heyns M.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
44.
Capacitor-on-metal/via-stacked-plug (CMVP) memory cell for 0.25μm CMOS embedded FeRAM
机译:
0.25的金属电容/堆叠插头(CMVP)存储单元μmCMOS嵌入式FeRAM
作者:
Amanuma K.
;
Tatsumi T.
;
Maejima Y.
;
Takahashi S.
;
Hada H.
;
Okizaki H.
;
Kunio T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
45.
High-gain GaInP/GaAs HBT monolithic transimpedance amplifier forhigh-speed optoelectronic receivers
机译:
高增益GaInP / GaAs HBT单片互阻放大器,用于高速光电接收器
作者:
Mohammadi S.
;
Park J.W.
;
Pavlidis D.
;
Dua C.
;
Guyaux J.L.
;
Garcia J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
46.
0.1 μm level contact hole pattern formation with KrF lithographyby resolution enhancement lithography assisted by chemical shrink(RELACS)
机译:
采用KrF光刻技术形成0.1μm级接触孔图案通过化学增强辅助的分辨率增强光刻(RELACS)
作者:
Toyoshima T.
;
Ishibashi T.
;
Minanide A.
;
Sugino K.
;
Katayama K.
;
Shoya T.
;
Arimoto I.
;
Yasuda N.
;
Adachi H.
;
Matsui Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
47.
Room temperature Coulomb oscillation and memory effect for singleelectron memory made by pulse-mode AFM nano-oxidation process
机译:
常温库仑振荡和记忆效应单脉冲模式原子力显微镜纳米氧化法制备的电子存储器
作者:
Matsumoto K.
;
Gotoh Y.
;
Maeda T.
;
Dagata J.A.
;
Harris J.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
48.
Defect and dopant diffusion in ion implanted silicon: an atomicscale simulation approach
机译:
离子注入硅中的缺陷和掺杂剂扩散:原子规模模拟方法
作者:
Caturla M.-J.
;
Theiss S.K.
;
Lenosky T.J.
;
Diaz de la Rubia T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
49.
Improvement of DC, low frequency and reliability properties ofInAlAs/InGaAs InP-based HEMTs by means of an InP etch stop layer
机译:
改善DC的低频,可靠性和可靠性InAlAs / InGaAs基于InP蚀刻停止层的基于InP的HEMT
作者:
Meneghesso G.
;
Buttari D.
;
Perin E.
;
Canali C.
;
Zanoni E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
50.
Investigation of the space charge effect in the quantum wellinfrared photodetector
机译:
量子阱中空间电荷效应的研究红外光电探测器
作者:
Kuan C.H.
;
Hsu Y.F.
;
Hsu M.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
51.
Transferred-substrate HBTs with 250 GHz current-gain cutofffrequency
机译:
截止电流为250 GHz的转移基板HBT频率
作者:
Mensa D.
;
Lee Q.
;
Guthrie J.
;
Jaganathan S.
;
Rodwell M.J.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
52.
Highly reliable liquid-phase deposited SiO
2
with nitrousoxide plasma post-treatment for low temperature processed poly-Si TFTs
机译:
含亚硝酸的高度可靠的液相沉积SiO
2 sub>低温处理的多晶硅TFT的氧化物等离子体后处理
作者:
Yeh C.F.
;
Chen D.C.
;
Lu C.Y.
;
Liu C.
;
Lee S.T.
;
Liu C.H.
;
Chen T.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
53.
Ultra thin (<20 Å) CVD Si
3
N
4
gatedielectric for deep-sub-micron CMOS devices
机译:
超薄(<20Å)CVD Si
3 sub> N
4 sub>栅极用于深亚微米CMOS器件的电介质
作者:
Song S.C.
;
Luan H.F.
;
Chen Y.Y.
;
Gardner M.
;
Fulford J.
;
Allen M.
;
Kwong D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
54.
In-situ barrier formation for high reliable W/barrier/poly-Si gateusing denudation of WN
x
on polycrystalline Si
机译:
原位势垒形成可实现高度可靠的W /势垒/多晶硅栅WN
x sub>在多晶硅上的剥蚀
作者:
Byung Hak Lee
;
Dong Kyun Sohn
;
Ji-Soo Park
;
Chang Hee Han
;
Yun-Jun Huh
;
Jeong Soo Byun
;
Jae Jeong Kim
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
55.
Integration technology of polymetal (W/WSiN/Poly-Si) dual gate CMOSfor 1 Gbit DRAMs and beyond
机译:
多金属(W / WSiN / Poly-Si)双栅CMOS集成技术适用于1 Gbit DRAM及更高
作者:
Hiura Y.
;
Azuma A.
;
Nakajima K.
;
Akasaka Y.
;
Miyano K.
;
Nitta H.
;
Honjo A.
;
Tsuchida K.
;
Toyoshima Y.
;
Suguro K.
;
Kohyama Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
56.
Ultra thin high quality Ta
2
O
5
gate dielectricprepared by in-situ rapid thermal processing
机译:
超薄高质量Ta
2 sub> O
5 sub>栅极电介质通过原位快速热处理制备
作者:
Luan H.F.
;
Wu B.Z.
;
Kang L.G.
;
Kim B.Y.
;
Vrtis R.
;
Roberts D.
;
Kwong D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
57.
Si/SiGe:C heterojunction bipolar transistors in an epi-free well,single-polysilicon technology
机译:
在无Epi阱中的Si / SiGe:C异质结双极晶体管,单多晶硅技术
作者:
Knoll D.
;
Heinemann B.
;
Osten H.J.
;
Ehwald B.
;
Tillack B.
;
Schley P.
;
Barth R.
;
Matthes M.
;
Kwang Soo Park
;
Young Kim
;
Winkler W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
58.
An integrated approach for accurate simulation and modeling of thesilicide-source/drain structure and the silicide-diffusion contactresistance
机译:
一种集成方法,可以对模型进行精确的仿真和建模硅化物源/漏结构和硅化物扩散接触抵抗性
作者:
Apte P.P.
;
Potla S.
;
Prinslow D.A.
;
Pollack G.
;
Scott D.
;
Varahramyan K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
59.
Advanced interconnect scheme analysis: real impact of technologicalimprovements
机译:
先进的互连方案分析:技术的真正影响改善
作者:
Lecarval G.
;
Morand Y.
;
Roger F.
;
Rivallin P.
;
Poncet D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
60.
Threshold voltage fluctuation induced by direct tunnel leakagecurrent through 1.2-2.8 nm thick gate oxides for scaled MOSFETs
机译:
隧道直接漏电引起的阈值电压波动电流流经1.2-2.8 nm厚的栅氧化物,用于规模化MOSFET
作者:
Koh M.
;
Iwamoto K.
;
Mizubayashi W.
;
Murakami H.
;
Ono T.
;
Tsuno M.
;
Mihara T.
;
Shibahara K.
;
Yokoyama S.
;
Miyazaki S.
;
Miura M.M.
;
Hirose M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
61.
Influence of 1 nm-thick structural 'strained-layer' near SiO
2
/Si interface on sub-4 nm-thick gate oxide reliability
机译:
SiO
2 sub> / Si界面附近1 nm厚的结构“应变层”对亚4 nm厚的栅极氧化物可靠性的影响
作者:
Eriguchi K.
;
Harada Y.
;
Niwa M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
62.
Impact of nitridation engineering on microscopic SILCcharacteristics of sub-10-nm tunnel dielectrics
机译:
氮化工程对微观SILC的影响10 nm以下隧道电介质的特性
作者:
Ogata T.
;
Inoue M.
;
Nakamura T.
;
Tsuji N.
;
Kobayashi K.
;
Kawase K.
;
Kurokawa H.
;
Kaneoka T.
;
Ohno Y.
;
Miyoshi H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
63.
SiON/Ta
2
O
5
/TiN gate-stack transistor with 1.8nm equivalent SiO
2
thickness
机译:
具有1.8的SiON / Ta
2 sub> O
5 sub> / TiN栅堆叠晶体管nm等效SiO
2 sub>厚度
作者:
Donggun Park
;
Qiang Lu
;
Tsu-Jae King
;
Chenming Hu
;
Kalnitsky A.
;
Sing-Pin Tay
;
Chia-Cheng Cheng
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
64.
Experiments and modeling of boron segregation to {311} defects andinitial rapid enhanced boron diffusion induced by self-implantation inSi
机译:
硼偏析到{311}缺陷和自植入引起的硼初始快速增强扩散硅
作者:
Saito T.
;
Xia J.
;
Kim R.
;
Aoki T.
;
Kobayashi H.
;
Kamakura Y.
;
Taniguchi K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
65.
Improvement of off-state breakdown voltage in power GaAs MESFETsbased on an accurate simulation scheme
机译:
改善功率GaAs MESFET的断态击穿电压基于精确的仿真方案
作者:
Kunihiro K.
;
Takahashi Y.
;
Ohno Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
66.
Ratio based hot-carrier degradation modeling for aged timingsimulation of millions of transistors digital circuits
机译:
基于比率的老化时序热载波降级建模数百万个晶体管数字电路的仿真
作者:
Yonezawa H.
;
Jingjun Fang
;
Kawakami Y.
;
Iwanishi N.
;
Lifeng Wu
;
Chen A.I.-H.
;
Koike N.
;
Ping Chen
;
Chune-Sin Yeh
;
Zhihong Liu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
67.
Stress analysis of shallow trench isolation for 256 M DRAM andbeyond
机译:
256 M DRAM浅沟槽隔离的应力分析超越
作者:
Kuroi T.
;
Uchida T.
;
Horita K.
;
Sakai M.
;
Inoue Y.
;
Nishimura T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
68.
Two-dimensional dopant profiling of deep submicron MOS devices byelectron holography
机译:
深亚微米MOS器件的二维掺杂分布图电子全息
作者:
Rau W.-D.
;
Baumann F.H.
;
Vuong H.-H.
;
Heinemann B.
;
Hoppner W.
;
Rafferty C.S.
;
Rucker H.
;
Schwander P.
;
Ourmazd A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
69.
1.5 nm equivalent thickness Ta
2
O
5
high-kdielectric with rugged Si suited for mass production of high densityDRAMs
机译:
1.5 nm等效厚度Ta
2 sub> O
5 sub>高k坚固的硅介电质,适合大批量生产记忆体
作者:
Asano I.
;
Kunitomo M.
;
Yamamoto S.
;
Furukawa R.
;
Sugawara Y.
;
Uemura T.
;
Kuroda J.
;
Kanai M.
;
Nakata M.
;
Tamaru T.
;
Nakamura Y.
;
Kawagoe T.
;
Yamada S.
;
Kawakita K.
;
Kawamura H.
;
Nakamura M.
;
Morino M.
;
Kisu T.
;
Iijima S.
;
Ohji Y.
;
Sekiguchi T.
;
Tadaki Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
70.
Explanation and quantitative model for the matching behaviour ofpoly-silicon resistors
机译:
匹配行为的解释和定量模型多晶硅电阻
作者:
Thewes R.
;
Brederlow R.
;
Dahl C.
;
Kollmer U.
;
Linnenbank C.G.
;
Holzapfl B.
;
Becker J.
;
Kissing J.
;
Kessel S.
;
Weber W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
71.
PVD TiN metal gate MOSFETs on bulk silicon and fully depletedsilicon-on-insulator (FDSOI) substrates for deep sub-quarter micron CMOStechnology
机译:
体硅和完全耗尽的PVD TiN金属栅极MOSFET用于亚四分之一微米深CMOS的绝缘体上硅(FDSOI)基板技术
作者:
Maiti B.
;
Tobin P.J.
;
Hobbs C.
;
Hegde R.I.
;
Huang F.
;
OMeara D.L.
;
Jovanovic D.
;
Mendicino M.
;
Chen J.
;
Connelly D.
;
Adetutu O.
;
Mogab J.
;
Candelaria J.
;
La L.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
72.
High performance metal gate MOSFETs fabricated by CMP for 0.1 μmregime
机译:
CMP制造的0.1μm高性能金属栅极MOSFET政权
作者:
Yagishita A.
;
Saito T.
;
Nakajima K.
;
Inumiya S.
;
Akasaka Y.
;
Ozawa Y.
;
Minamihaba G.
;
Yano H.
;
Hieda K.
;
Suguro K.
;
Arikado T.
;
Okumura K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
73.
Reduced gate leakage current and boron penetration of 0.18 μm1.5 V MOSFETs using integrated RTCVD oxynitride gate dielectric
机译:
降低栅极漏电流和0.18μm的硼渗透使用集成RTCVD氮氧化物栅极电介质的1.5 V MOSFET
作者:
Hsing-Huang Tseng
;
OMeara D.L.
;
Tobin P.J.
;
Wang V.S.
;
Xin Guo
;
Hegde R.
;
Yang I.Y.
;
Gilbert P.
;
Cotton R.
;
Hebert L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
74.
Novel co-sputtered fluorinated amorphous carbon films for sub-0.25μm low κ damascene multilevel interconnect applications
机译:
0.25以下的新型共溅射氟化无定形碳膜μm低κ镶嵌多层互连应用
作者:
Zhu W.
;
Pai C.S.
;
Bair H.E.
;
Krautter H.W.
;
Opila R.L.
;
Dennis B.S.
;
Pinczuk A.
;
Chabal Y.J.
;
Grundmeier G.
;
Graebner J.E.
;
Cheung K.P.
;
Schilling F.C.
;
Case C.B.
;
Liu R.
;
Jin S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
75.
Shared tungsten structures for FEOL/BEOL compatibility inlogic-friendly merged DRAM
机译:
共享钨结构,可实现FEOL / BEOL兼容性逻辑友好的合并DRAM
作者:
Drynan J.M.
;
Fukui K.
;
Hamada M.
;
Inoue K.
;
Ishigami T.
;
Kamiyama S.
;
Matsumoto A.
;
Nobusawa H.
;
Sugai K.
;
Takenaka M.
;
Yamaguchi H.
;
Tanigawa T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
76.
0.13 μm MONOS single transistor memory cell with separatedsource lines
机译:
分离的0.13μmMONOS单晶体管存储单元源代码行
作者:
Fujiwara I.
;
Aozasa H.
;
Nakamura A.
;
Komatsu Y.
;
Hayashi Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
77.
High thermal stability and low junction leakage current of Ticapped Co salicide and its feasibility for high thermal budget CMOSdevices
机译:
Ti的高热稳定性和低结漏电流封顶的钴硅化物及其在高热预算CMOS中的可行性设备
作者:
Dong Kyun Sohn
;
Ji-Soo Park
;
Byung Hak Lee
;
Jong-Uk Bae
;
Kyung Soo Oh
;
Seh Kwang Lee
;
Jeong Soo Byun
;
Jae Jeong Kim
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
78.
Channel profile engineering of 0.1 μm-Si MOSFETs bythrough-the-gate implantation
机译:
0.1μm-SiMOSFET的沟道轮廓工程穿通门植入
作者:
Ponomarev Y.V.
;
Stolk P.A.
;
van Brandenburg A.C.M.C.
;
Roes R.
;
Montree A.H.
;
Schmitz J.
;
Woerlee P.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
79.
Advanced performance of small-scaled InGaP/GaAs HBT's with f
T
over 150 GHz and f
max
over 250 GHz
机译:
f
T的小型InGaP / GaAs HBT的先进性能 sub>超过150 GHz,f
max sub>超过250 GHz
作者:
Oka T.
;
Hirata K.
;
Ouchi K.
;
Uchiyama H.
;
Taniguchi T.
;
Mochizuki K.
;
Nakamura T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
80.
Modeling of grain size variation effects in polycrystalline thinfilm transistors
机译:
多晶薄膜中晶粒尺寸变化效应的建模薄膜晶体管
作者:
Wang A.W.
;
Saraswat K.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
81.
Pseudo-SOI: P-N-P-channel-doped bulk MOSFET for low-voltagehigh-performance applications
机译:
伪SOI:用于低压的P-N-P沟道掺杂体MOSFET高性能应用
作者:
Miyamoto M.
;
Nagai R.
;
Nagano T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
82.
Novel low capacitance sidewall elevated drain dynamic thresholdvoltage MOSFET (LCSED) for ultra low power dual gate CMOStechnology
机译:
新型低电容侧壁高漏极动态阈值用于超低功耗双栅极CMOS的电压MOSFET(LCSED)技术
作者:
Kotaki H.
;
Kakimoto S.
;
Nakano M.
;
Adachi K.
;
Shibata A.
;
Sugimoto K.
;
Ohta K.
;
Hashizume N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
83.
Spectral hole burning of InAs self-assembled quantum dots writtenby two different lasers
机译:
InAs自组装量子点的光谱孔燃烧由两个不同的激光
作者:
Sugiyama Y.
;
Nakata Y.
;
Muto S.
;
Futatsugi T.
;
Yokoyama N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
84.
Trench oxide isolated single crystal silicon micromachinedaccelerometer
机译:
沟槽氧化物隔离单晶硅微加工加速度计
作者:
Sridhar U.
;
Lau Choon How
;
Liu Lian Jun
;
Miao Yu Bo
;
Tan Khen-Sang
;
Foo Pang Dow
;
Bergstrom J.
;
Sooriakumar K.
;
Loh Yong Hong
;
Lee Han San
;
Tan Chung Kiat
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
85.
Direct measurement of l
eff
and channel profile inMOSFETs using 2-D carrier profiling techniques
机译:
直接测量l
eff sub>和信道配置文件使用二维载流子剖析技术的MOSFET
作者:
Wolf P.D.
;
Stephenson R.
;
Biesemans S.
;
Jansen Ph.
;
Badenes G.
;
De Meyer K.
;
Vandervorst W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
86.
Energy dependent electron and hole impact ionization in Si bipolartransistors
机译:
硅中依赖能量的电子和空穴碰撞电离晶体管
作者:
Palestri P.
;
Selmi L.
;
Hurkx G.A.M.
;
Slotboom J.W.
;
Sangiorgi E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
87.
Arrays of resonant tunnelling diodes defined by in-situ focused ionbeam lithography: potential millimetre wave/microwave powersources?
机译:
原位聚焦离子定义的共振隧穿二极管阵列束光刻:潜在的毫米波/微波功率来源?
作者:
See P.
;
Steenson D.P.
;
Arnone D.D.
;
Linfield E.H.
;
Rose P.D.
;
Collins C.E.
;
Ritchie D.A.
;
Jones G.A.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
88.
Modeling solid source boron diffusion for advanced transistorapplications
机译:
先进晶体管的固体源硼扩散建模应用领域
作者:
Packan P.
;
Thompson S.
;
Andideh E.
;
Yu S.
;
Ghani T.
;
Giles M.
;
Sandford J.
;
Bohr M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
89.
Experimental signature and physical mechanisms of substrateenhanced gate current in MOS devices
机译:
底物的实验特征和物理机制MOS器件中增强的栅极电流
作者:
Esseni D.
;
Selmi L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
90.
Novel 0.44 μm2 Ti-salicide STI cell technology forhigh-density NOR flash memories and high performance embeddedapplication
机译:
新型0.44μm 2 sup>钛硅化物STI细胞技术高密度NOR闪存和高性能嵌入式应用
作者:
Watanabe H.
;
Yamada S.
;
Tanimoto M.
;
Matsui M.
;
Kitamura S.
;
Amemiya K.
;
Tanzawa T.
;
Sakagami E.
;
Kurata M.
;
Isobe K.
;
Takebuchi M.
;
Kanda M.
;
Mori S.
;
Watanabe T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International》
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