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毛凌锋; 谭长华; 许铭真; 卫建林;
北京大学微电子所;
MOS结构; 栅氧化层厚度; FN振荡电流; 超薄栅;
机译:隧道DCIV提取超薄栅氧化物MOS晶体管的沟道和扩展区中的杂质-杂质浓度,氧化物厚度和长度
机译:半导体厚度和背栅电压对具有超薄氧化物的MOS / SOI系统中栅极隧道电流的影响
机译:利用三维硅结构上的电子回旋共振等离子体溅射原位形成0.5 nm等效氧化物厚度的HfN / HfSiON栅叠层
机译:栅氧化层的损坏是由于采用超薄和标准氧化物的MOS结构中的栅注入造成的
机译:氮结合的氧化f栅介电薄膜和钛基金属栅电极用于双栅应用。
机译:利用原子层沉积的TiO2 / Al2O3栅叠层表征外延GaAs MOS电容器:Ge自掺杂和p型Zn掺杂的研究
机译:栅氧化层厚度对mOs集成电路速度的影响
机译:具有双倍栅氧化层厚度的垂直导电和平面结构的MOS器件以及实现具有改善的静态和动态性能以及高比例缩小的密度的功率垂直MOS晶体管的方法
机译:具有双倍栅氧化层厚度的垂直导电和平面结构的MOS器件以及实现具有改善的静态和动态性能以及高按比例缩小密度的功率垂直MOS晶体管的方法
机译:厚度为两倍的栅氧化层的垂直导电和平面结构的MOS器件及实现具有改善的静态和动态性能以及高缩放密度的功率垂直MOS晶体管的方法
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