测量栅介质层厚度的半导体结构及栅介质层厚度测量方法

摘要

一种测量栅介质层厚度的半导体结构及栅介质层厚度测量方法，其中，栅介质层厚度的测量方法，包括：提供半导体衬底，衬底包括外围区，外围区包括两个相邻的第一测量区和第二测量区；在第一测量区形成包括第一栅介质层的第一测量鳍式场效应晶体管，在第二测量区形成包括第二栅介质层的第二测量鳍式场效应晶体管，第一栅介质层的面积与第二栅介质层的面积不相等，第一栅介质层的厚度等于第二栅介质层的厚度；测量第一栅介质层的第一总电容，测量第二栅介质层的第二总电容；根据第一栅介质层与第二栅介质层的面积差值除以第一总电容与第二总电容的差值来获取第一栅介质层厚度值。采用本发明的方法可以精确的获得第一栅介质层的电性厚度值。