公开/公告号CN102854398B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201210304221.9
发明设计人 韦敏侠;
申请日2012-08-23
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人骆苏华
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:49:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-21
授权
授权
2014-07-30
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 27/26 申请日:20120823
实质审查的生效
2014-05-07
专利申请权的转移 IPC(主分类):G01R 27/26 变更前: 变更后: 登记生效日:20140411 申请日:20120823
专利申请权、专利权的转移
2013-01-02
公开
公开
机译: 栅介电结构阵列,用于测量栅介电层厚度和寄生电容
机译: 栅介电结构阵列,用于测量栅介电层厚度和寄生电容
机译: 确定穿过薄栅氧化膜的隧道中有效栅氧化层厚度和临界栅氧化层厚度的方法