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寄生电容的测量方法以及栅介质层厚度的计算方法

摘要

一种寄生电容的测量方法,包括:提供被测半导体结构;调节所述被测半导体结构的测试条件,使所述被测半导体结构的沟道区处于反型区,分别测量所述半导体衬底与栅极结构之间的第一寄生电容,以及所述半导体衬底与栅电极层之间的第二电容;利用所述第一寄生电容和第二寄生电容,计算所述半导体衬底与栅极金属插塞之间的第三寄生电容。利用本发明所提供的测量方法,只需一个被测半导体结构,即可测量得到所述半导体结构的各项寄生电容值,相较于现有技术中的测量方法,降低了对版图尺寸的要求。

著录项

  • 公开/公告号CN102854398B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-12-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201210304221.9

  • 发明设计人 韦敏侠;

    申请日2012-08-23

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人骆苏华

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 09:49:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-21

    授权

    授权

  • 2014-07-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 27/26 申请日:20120823

    实质审查的生效

  • 2014-05-07

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G01R 27/26 变更前: 变更后: 登记生效日:20140411 申请日:20120823

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-01-02

    公开

    公开

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