寄生电容的测量方法以及栅介质层厚度的计算方法

摘要

一种寄生电容的测量方法，包括：提供被测半导体结构；调节所述被测半导体结构的测试条件，使所述被测半导体结构的沟道区处于反型区，分别测量所述半导体衬底与栅极结构之间的第一寄生电容，以及所述半导体衬底与栅电极层之间的第二电容；利用所述第一寄生电容和第二寄生电容，计算所述半导体衬底与栅极金属插塞之间的第三寄生电容。利用本发明所提供的测量方法，只需一个被测半导体结构，即可测量得到所述半导体结构的各项寄生电容值，相较于现有技术中的测量方法，降低了对版图尺寸的要求。