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陈勇; 赵建明; 韩德栋; 康晋锋; 韩汝琦;
电子科技大学微电子与固体电子学院;
北京大学微电子系;
高介电常数栅介质; 等效氧化层厚度; 二氧化铪;
机译:通过原子层沉积和氧控制帽沉积后退火制备的高k(k = 40)HfO_2栅堆叠的极度尺度化(〜0.2 nm)等效氧化物厚度
机译:具有0.72 nm等效氧化物厚度LaO / HfO_2堆叠栅电介质的金属氧化物半导体电容器的可靠性特征
机译:0.72 nm等效氧化物厚度LaO / HfO_2堆叠栅电介质的电流传导
机译:高质量的La / sub 2 / O / sub 3 /和Al / sub 2 / O / sub 3 /栅电介质,等效氧化层厚度5-10 / spl Aring /
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:电容等效厚度的边界阱提取以反映对300mm Si衬底上原子层沉积High-k / In0.53Ga0.47As的量子力学效应
机译:亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅介电非晶LaGdO3栅金属氧化物半导体器件
机译:栅氧化层厚度对mOs集成电路速度的影响
机译:具有栅绝缘层的不同厚度的金属氧化物半导体场效应晶体管器件的形成方法,该不同厚度的层可以改善低电压金属氧化物半导体场效应晶体管器件和高电压金属氧化物半导体器件的性能
机译:确定穿过薄栅氧化膜的隧道中有效栅氧化层厚度和临界栅氧化层厚度的方法
机译:具有HV输入级的集成电路-在具有绝缘栅电极的衬底上具有开关MOSFET,绝缘栅电极的栅氧化层的厚度与场氧化层的厚度相同
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