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毛凌锋; 谭长华; 许铭真;
北京大学微电子所;
栅氧化层; FN振荡电流; 有效质量; 场效应晶体管; 隧穿电子; 薄栅MOS结构;
机译:一种有效的模型,用于分析通过Si反转层的超薄氧化物和高k栅堆叠的隧穿栅泄漏电流
机译:一种确定高级CMOS器件中HfO_2和其他高K替代栅介质中电子有效隧穿质量的新颖方法
机译:SiO_2隧穿氧化物厚度对Si纳米晶点浮栅存储器中电子隧穿机理的影响
机译:一种获得隧穿栅氧化物的MOS电容器中界面陷阱分布的有效方法
机译:在薄栅氧化层MOS结构(硅碰撞电离,价带,电子)中隧穿。
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:在液氮温度下电子注入mOs结构的栅氧化层:测量和模拟
机译:栅氧化层厚度对mOs集成电路速度的影响
机译:基于第一原理的MOS器件薄栅氧化膜隧穿特性的MOS分析方法
机译:MOS浮栅存储单元,包含与漏极接触并在场氧化层边缘下方延伸的隧穿扩散区
机译:确定穿过薄栅氧化膜的隧道中有效栅氧化层厚度和临界栅氧化层厚度的方法
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