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具有U形隧穿绝缘层的绝缘栅隧穿双极晶体管及制造工艺

摘要

本发明涉及一种具有U形隧穿绝缘层的绝缘栅隧穿双极晶体管,通过U形隧穿绝缘层用于产生栅电极隧穿电流,并利用隧穿绝缘层阻抗与隧穿绝缘层内电场强度之间极为敏感的相互关系,使U形隧穿绝缘层在栅电极极短的电势变化区间内实现高阻态和低阻态之间的转换,对比现有技术可实现更好的开关特性;并通过双极放大明显改善了纳米级绝缘栅晶体管的正向导通特性,本发明还提出具有U形隧穿绝缘层的绝缘栅隧穿双极晶体管的具体制造方法。因此显著改善了纳米级集成电路单元的工作特性,适用于推广应用。

著录项

  • 公开/公告号CN104485353B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 沈阳工业大学;

    申请/专利号CN201410742686.1

  • 发明设计人 刘溪;靳晓诗;

    申请日2014-12-08

  • 分类号

  • 代理机构沈阳智龙专利事务所(普通合伙);

  • 代理人宋铁军

  • 地址 110870 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号

  • 入库时间 2022-08-23 09:55:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/739 授权公告日:20170503 终止日期:20171208 申请日:20141208

    专利权的终止

  • 2017-05-03

    授权

    授权

  • 2017-05-03

    授权

    授权

  • 2015-04-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/739 申请日:20141208

    实质审查的生效

  • 2015-04-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20141208

    实质审查的生效

  • 2015-04-01

    公开

    公开

  • 2015-04-01

    公开

    公开

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