silicon; elemental semiconductors; silicon compounds; MOS capacitors; thin film capacitors; internal stresses; interface states; dielectric materials; dielectric thin films; ultrathin oxide MOS capacitors; tunneling gate oxides; Si-SiO/sub 2/ interface;
机译:一种用于提取MOSFET器件中界面陷阱和有效氧化物陷阱电荷密度的横向分布的新型电荷泵方法
机译:高温下具有隧穿栅介质的金属氧化物半导体场效应晶体管中界面陷阱密度提取的改进直流电流电压方法
机译:氧化物厚度对4H-SiC MOS电容器中近界面陷阱的密度分布的影响
机译:具有隧道栅极氧化物中MOS电容器界面陷阱分布的有效方法
机译:硅/二氧化硅界面陷阱处的电子-空穴复合以及薄氧化物MOS晶体管中的隧穿的理论和实验。
机译:支持数据和方法来表征与pH-(低)-插入肽缀合的氧化铁纳米颗粒测试其细胞毒性以及在带有MDA-MB231肿瘤的SCID小鼠中的生物分布分析
机译:具有氮化栅极氧化物的3C和4H-SiC MOS电容器的电荷俘获特性