用干涉方法研究超薄栅MOS系统中FN振荡电流

毛凌锋; 谭长华; 许铭真; 卫建林

首页> 中文期刊> 《物理学报》 >用干涉方法研究超薄栅MOS系统中FN振荡电流

用干涉方法研究超薄栅MOS系统中FN振荡电流

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

采用干涉方法研究FN振荡电流,得到一个精确而且简单的测量栅介质层的厚度及隧穿电子在栅介质层导带中的有效质量的表达式.通过和求解三角势垒的薛定谔方程得到的结果比较验证了干涉方法的可行性.干涉方法揭示电子在隧穿过程中体现了波的本性,这种方法的一个重要特征是它对不同形状的势垒和势阱可能均适用.还分析了有关FN振荡电流的实验现象,并给出了相应的物理解释.

著录项

来源
《物理学报》 |2000年第5期|974-982|共9页
作者
毛凌锋; 谭长华; 许铭真; 卫建林;
展开▼
作者单位

北京大学微电子学研究所,北京,100871;

北京大学微电子学研究所,北京,100871;

北京大学微电子学研究所,北京,100871;

北京大学微电子学研究所,北京,100871;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 利用FN振荡电流测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度 [J] . 毛凌锋 ,谭长华 ,许铭真 . 半导体学报：英文版 . 2000,第10期
2. FN应力下超薄栅N-MOSFET失效的统计特征及寿命预测 [J] . 穆甫臣 ,许铭真 ,谭长华 . 半导体学报：英文版 . 2001,第12期
3. 利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究(英文) [J] . 霍宗亮 ,杨国勇 ,许铭真 . 半导体学报：英文版 . 2002,第11期
4. 4nm超薄栅nMOSFET中漏电压对栅控产生电流影响研究 [J] . 陈海峰 ,过立新 ,商世广 . 纳米科技 . 2012,第003期
5. 超薄氮氧化硅(Sio_xN_y)栅NMOSFET中GIDL效应的研究 [J] . 刘卫东 ,李志坚 ,刘理天 . 半导体学报：英文版 . 1997,第7期
6. 超薄栅SiO<,2>MOS系统中FN振荡电流理论研究的新思路 [C] . 毛凌锋 ,谭长华 ,许铭真 . 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 . 1999
7. a-SiO2/Si界面建模方法及在超薄栅MOS器件光电特性研究中的应用 [A] . 周龙 . 2015

用干涉方法研究超薄栅MOS系统中FN振荡电流

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅