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王伟; 孙建平; 顾宁;
东南大学生物电子学国家重点实验室江苏省生物材料与器件重点实验室;
美国密西根大学电气工程和计算机科学系;
高k; 栅电流; 量子模型;
机译:结合速度饱和的纳米级双栅和栅栅MOSFET的统一漏极电流模型
机译:高介电常数/堆叠电介质的对称双栅MOSFET的栅漏电流研究
机译:SiO_2 /高k栅堆叠电介质的对称双栅无结晶体管的直接隧穿栅电流模型
机译:考虑栅隧穿漏电流的HfO2高K栅介质纳米FD SOI CMOS器件的电容行为
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:高κ氧化物纳米带作为高迁移率顶栅石墨烯晶体管的栅极电介质
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。
机译:放大器例如音频放大器,具有三极MOSFET,包括高阻抗控制输入,其电势确定三极电流输出的电势,其中电流输出与屏蔽栅相连
机译:-利用MOSFET中的栅诱导漏极漏电流来控制栅氧化损伤的局部热退火方法
机译:减少薄栅氧化物MOSFET中的栅感应漏极泄漏电流的方法和装置
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