含有铁电栅介质的叠层栅增强型GaN高电子迁移率晶体管及制备方法

摘要

本发明公开了一种含有铁电栅介质的叠层栅增强型GaN高电子迁移率晶体管，主要解决现有同类器件可靠性差的问题。其自下而上包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN帽层、SiN钝化层、栅介质层和SiN保护层，SiN钝化层中设有凹型结构，凹型结构内壁及SiN钝化层表面设有栅介质层，其包括AlN或Al2O3介质插入层和HfZrO铁电层，GaN缓冲层的两端设有源电极和漏电极，栅介质层的中间设有栅电极，源电极和漏电极上设有金属互联层，栅电极和钝化层表面的栅介质层上覆盖有SiN保护层，本发明提高了器件的可靠性，减小了增强型器件的栅漏电，可用于作为需要较大阈值电压的开关器件。