机译:光电化学氧化处理的具有氧化层/ Ta_2O_5 / Al_2O_3栅电介质叠层的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, Advanced Optoelectronic Technology Center, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan;
Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, Advanced Optoelectronic Technology Center, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan;
机译:具有氧化层/ Ta2O5 / Al2O3栅介电叠层的光电化学氧化处理AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:AlGaN / GaN金属氧化物 - 半导体高电子迁移率使用蒸汽冷却冷凝系统生长的Ga2O3栅极介电层的高电子迁移率晶体管
机译:原子层沉积的AI_2O_3和(Ta_2O_5)_(0.12)(Al_2O_3)_)0.88)栅极电介质在CaN包覆的AIGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管特性上的比较
机译:具有TiO2栅极电介质的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:纳米N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄氧化物和氮化物/氧化物堆叠的栅极电介质研究
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积