实现高温工作的SOI器件埋层结构研究

摘要

硅基集成电路不能胜任高温工作环境,其高温工作上限一般为125℃。而基于SOI材料及其结构的器件,能突破高温的限制。介绍了SOI材料结构技术用于高温电路的优势,分析了影响高温性能的自加热效应。为实现良好的高温性能,比较了几种不同的埋层结构,提出了沟道下用氮化铝作埋层的SOI器件新结构,并对其高温输出性能随温度的变化进行了研究分析,得出了具有指导意义的分析结果。同时提出了根据埋层材料的介电常数不同,进行等效电容折算埋层厚度的新观点,从另一层面提出了抑制自加热效应的理论依据。