双垂直窗三埋层SOI高压器件结构

摘要

本发明公开了一种多埋层大功率高压器件结构，器件结构如图1所示，该结构的埋层包含三层氧化层，两个窗不与埋层平行或者第一埋层与第二埋层不在同一平面上，第一层与第三层通过二氧化硅相连。第一层第二层埋氧层与第三层埋氧层之间填充多晶硅。该方法通过增强第三层埋氧层的电场，同时第一第二埋氧层的硅窗口可以调制漂移区电场来提高纵向击穿电压。