沉积工艺参数对AlN薄膜择优取向影响的实验研究

摘要

采用射频磁控溅射法,以高纯Al(99.999%)为靶材,高纯N2为反应气体,在硅及金刚石上制备了氮化铝(AlN)薄膜.研究了氩气氮气比例、溅射气压等工艺参数对AlN膜沉积的影响规律.结果表明,随着氮气比例的增大AlN(002)取向明显增强.溅射气压低有利于以AlN(002)面择优取向.