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吕伟; 刘俊; 赵鹏宇; 李健亮; 李思达; 沈龙海;
沈阳理工大学 理学院;
辽宁 沈阳 110159;
磁控溅射; 择优取向; 光致发光; 缺陷发光;
机译:等离子体辅助分子束外延在Si(111)衬底上AlN薄膜的择优取向生长
机译:LP-MOCVD在Si(111)衬底上AlN薄膜的择优取向生长
机译:纳米AlN薄膜的织构及其在直流磁控溅射中的生长条件
机译:氧化锌薄膜的晶格应力梯度及其对薄膜择优取向生长的影响
机译:块状AlN单晶衬底上的富铝AlGaN和AlN生长
机译:200 nm厚Sa掺杂非晶AlN薄膜的强烈红色阴极和光致发光
机译:纳米晶alN薄膜的织构及直流磁控溅射的生长条件
机译:模拟氮化铝(alN)衬底上生长的氮化铝镓((al)GaN)薄膜的生长
机译:活性直流磁控溅射非化学计量钨氧化物薄膜的色度和光致发光方法
机译:制备高纯度(& 99%)M002粉末的方法,由M002粉末制成的产品,M002薄膜的沉积以及使用此类材料的方法
机译:M002粉末的制造方法,M002粉末制成的产品,M002薄膜的沉积以及使用此类材料的方法
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