低温下磁控溅射AlN薄膜择优取向研究

摘要

研究了衬底温度从-20～20℃下射频磁控溅射AlN薄膜的择优取向程度。利用X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射电子显微镜(FESEM)对AlN薄膜的晶体结构、粗糙度及表面和断面形貌进行了分析。研究结果表明,当衬底温度低于0℃时,AlN薄膜中的(100)衍射峰消失,AlN薄膜以(002)面择优取向生长。当衬底温度降低时,AlN薄膜的晶粒大小和表面粗糙度减小。AlN薄膜在0℃下沉积具有最佳的择优取向程度和较低的表面粗糙度。