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低温下制备具有高度(001)择优取向的钌酸锶薄膜的方法

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摘要

本发明涉及一种低温下制备具有高度(001)择优取向的钌酸锶薄膜的方法，以硅片为衬底，引入LaNiO

1. 低温下制备具有高度(001)择优取向的钌酸锶薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN104419895B . 2016.11.16
2. 一种具有高度(110)择优取向的钌酸锶薄膜的制备方法 [P] . 中国专利： CN105088160A . 2015-11-25
3. Methods of Forming Strontium Ruthenate Thin Films and Methods of Manufacturing Capacitors Including the Same [P] . 美国专利： US2010209595A1 . 2010-08-19

机译：钌酸锶薄膜的形成方法及包括该薄膜的电容器的制造方法
4. METHOD FOR FORMING A STRONTIUM RUTHENIUM OXIDE THIN FILM WHICH HAS A SUPERIOR MATERIAL PROPERTY BY SIMULTANEOUSLY USING A STRONTIUM SOURCE WITH H2O AND LIGAND, AND A CAPACITOR MANUFACTURING METHOD THEREOF [P] . 韩国专利： KR20100094766A . 2010-08-27

机译：通过同时使用含H2O和配体的锶源形成具有优异材料性能的氧化锶钌薄膜的方法及其电容器制造方法
5. METHOD FOR PRODUCING BIS(ALKYLCYCLOPENTADIENYL) RUTHENIUM AND BIS(ALKYLCYCLOPENTADIENYL)RUTHENIUM PRODUCED BY THE SAME METHOD FOR PRODUCTION AND METHOD FOR PRODUCING RUTHENIUM THIN FILM OR RUTHENIUM COMPOUND THIN FILM [P] . 日本专利： JP2002145892A . 2002-05-22

机译：相同制造方法生产的双（烷基环戊二烯）钌和双钌（钌环戊二烯）钌的制备方法及制备钌薄膜或钌复合薄膜的方法