AlN插入层与AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的关系

李诚瞻; 刘键; 刘新宇; 薛丽君; 陈晓娟; 和致经

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比较有无AlN插入层AlGaN/GaNHEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入层的AlGaN/GaNHEMTs有更显著的电流崩塌程度,表明AlN插入层对电流崩塌效应有显著的抑制作用.模拟的AlGaN/GaN能带结构表明,AlN插入层能显著提高AlGaN导带底能级,增加异质结的带隙差.带隙差的增加有利于减小电子遂穿几率,加强沟道二维电子气的量子限制,从而抑制电流崩塌效应.

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来源
《半导体学报》 |2006年第6期|1055-1058|共4页
作者
李诚瞻; 刘键; 刘新宇; 薛丽君; 陈晓娟; 和致经;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN325.3;
关键词
AlN插入层; HEMTs; 电流崩塌效应; 热电子;

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