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龙飞; 杜江锋; 罗谦; 靳翀; 杨谟华;
电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;
电流崩塌效应; AlGaN/GaN; HEMT; 栅脉冲; 表面态;
机译:具有通过金属有机化学气相沉积形成的AlO_x栅绝缘体的低泄漏和减小电流崩塌的AlGaN / GaN异质结场效应晶体管
机译:栅源和栅漏Si_3N_4钝化对硅上AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中电流崩塌的影响
机译:使用双栅结构评估AlGaN / GaN HEMT电流崩塌的表面电荷位点依赖性
机译:快速软开关电流-DLTS和CC-DLTFS研究LPCVD Si3N4钝化的AlGaN / GaN HEMT的电流崩塌机理
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱
机译:alGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的电流崩塌和器件退化
机译:偏压应力在alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中引起的电流崩塌;杂志文章
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:具有与c-AlGaN覆盖层绝缘的栅电极的常关立方相GaN(c-GaN)HEMT
机译:P-GaN / AlGaN / AlN / GaN增强模式场效应晶体管
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