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李诚瞻; 刘键; 刘新宇; 刘果果; 庞磊; 陈晓娟; 刘丹; 姚小江; 和致经;
中国科学院微电子研究所;
北京;
GaN; HEMT; 电流崩塌效应; 掺杂;
机译:多层碳掺杂/非掺杂GaN缓冲对抑制AlGaN / GaN HFET中电流崩塌的影响
机译:低温GaN覆盖层的晶体质量对AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中电流崩塌的影响
机译:AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管在低温下的异常行为:从电流崩塌到冷却后电流增强
机译:掺杂和未掺杂的AlGaN / GaN HEMT中电流崩塌的研究
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:二维电子气上的供体样表面陷阱以及AlGaN / GaN HEMT的电流崩塌
机译:alGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的电流崩塌和器件退化
机译:偏压应力在alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中引起的电流崩塌;杂志文章
机译:包含Algan / GAN异质结和P掺杂金刚石门的增强模式场效应晶体管
机译:用于PH传感的SI掺杂Algan / GAN场效应晶体管
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