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刘翠霞; 杨延清; 黄斌; 张荣军; 罗贤; 任晓霞;
西北工业大学,材料学院,凝固技术国家重点实验室,西安,710072;
化学气相沉积; SiC膜; 动力学Monte; Carlo模拟; 表面粗糙度; 相对密度;
机译:在低衬底温度下{100}取向CVD金刚石膜生长的原子尺度KMC模拟-第二部分C-H系统和含Cl体系中CVD金刚石膜生长的模拟
机译:在低衬底温度下{100}取向的CVD金刚石膜生长的原子尺度KMC模拟-第一部分,Joe-Badgwell-Hauge模型下的CVD金刚石膜生长的模拟
机译:在低衬底温度下{100}取向CVD金刚石膜生长的原子尺度KMC模拟-第一部分,Joe-Badgwell-Hauge模型下CVD金刚石膜生长的模拟
机译:乙烯分压对Si(111)生长的3C-SiC膜结晶度的影响通过化学气相沉积
机译:使用蒙特卡洛方法通过化学气相沉积法对金刚石膜生长的计算机模拟。
机译:卤化物激光化学气相沉积法在110取向块状3C-SiC中原位掺杂氮
机译:金属有机化学气相沉积法制备(100)和(111)取向外延Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3薄膜的取向和膜厚依赖性
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:在硅衬底上外延生长无双(111)取向的II-VI合金膜的方法
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