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公开/公告号CN104321700B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-03
原文格式PDF
申请/专利权人 得克萨斯大学体系董事会;
申请/专利号CN201380013521.4
发明设计人 C·G·威尔森;W·J·杜兰德;C·J·埃利森;C·M·贝茨;濑下武宏;J·卡申;L·J·桑托斯;L·迪安;E·L·劳施;
申请日2013-02-07
分类号G03F7/00(20060101);B81C1/00(20060101);
代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人任宗华
地址 美国得克萨斯
入库时间 2022-08-23 10:13:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-03
授权
2015-02-25
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/00 申请日:20130207
实质审查的生效
2015-01-28
公开
机译: 使用化学气相沉积薄膜来控制嵌段共聚物薄薄膜的域取向
机译:剪切排列的嵌段共聚物单层作为种子,以控制形成圆柱的嵌段共聚物薄膜中的取向顺序
机译:使用取向控制剂对嵌段共聚物模板的介孔结构二氧化硅薄膜进行严格的面内取向控制
机译:电场控制质子交换膜在嵌段共聚物薄膜中的微区取向
机译:使用基材拓扑控制薄二嵌段共聚物膜中的畴取向
机译:用去偏振光散射表征嵌段共聚物薄膜和剪切取向的嵌段共聚物中的晶粒结构。
机译:PNAS Plus:使用低强度磁场控制嵌段共聚物中的取向顺序
机译:侧链接枝无规共聚物刷作为中性表面,用于控制薄膜中嵌段共聚物微瘤的取向
机译:含有嵌段共聚物的嵌段共聚物的光诱导交联制备新的光取向层。