机译:金属有机化学气相沉积法制备(100)和(111)取向外延Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3薄膜的取向和膜厚依赖性
机译:金属有机化学气相沉积法制备(100)和(111)取向外延Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3薄膜的取向和膜厚依赖性
机译:(100)/(001)取向的小应变外延PbTiO_3膜,通过金属有机化学气相沉积法在(100)CaF_2衬底上生长,其膜厚为纳米至微米级
机译:通过金属有机化学气相沉积生长的(100)/(001)取向的外延PbTiO_3厚膜,其具有(001)取向的不同体积分数的畴结构
机译:金属有机化学气相沉积制备的外延生长的Pb(Zr / sub x / Ti / sub 1-x /)O / sub 3 /薄膜的铁电方向依赖性
机译:通过等离子体增强的金属有机化学气相沉积法制得的锶钛氧化物和钡(1-x)锶钛氧化物外延薄膜。
机译:硅衬底上生长的001取向的Pr3 +掺杂的Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-PbTiO3铁电纳米膜的合成巨电介质和热电响应
机译:(100)-/(001)取向的外延Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O 3-PbTiO3薄膜的晶体结构,电学性质和机械响应,是在金属(100)cSrRuO3∥(100)SrTiO3衬底上生长的有机化学气相沉积
机译:mOCVD(金属有机化学气相沉积)生长外延陶瓷氧化物薄膜的表征。