具有(111)取向生长NZFO晶相柱阵列的BTO/NZFO复相多铁薄膜及制备方法

摘要

本发明公开了一种具有(111)取向NZFO晶相柱阵列分布的BTO/NZFO复相多铁薄膜，首先通过溶胶‑凝胶法制得溶胶前驱体，接着在单晶硅基板上以旋涂方法制备首层薄膜，经过紫外臭氧预处理，再在快速升温炉中通过结合控制首层膜沉积厚度以及在高温下热处理，控制在首层膜层中实现包括分相、异相成核等过程，原位制备具有两相分离结构且NZFO结晶并具有(111)取向的诱导膜层，之后经过多步重复旋涂‑热处理过程获得复相膜，在复相膜上再覆盖BTO纯相膜以使其填充在NZFO晶相柱之间，本发明这种复相加单相的多层结构膜，成功实现了BTO/NZFO复相薄膜材料1‑3型微结构的原位形成，材料具有很高的磁电耦合效应。外加磁场作用下，在铁电相BTO居里点处获得高达40％的磁化突变，具有重要意义。