机译:菱形Pb(Zr,Ti)O_3薄膜中铁电性能的晶体取向依赖性
机译:衬底对<111>取向菱面体Pb(zr_(0.6)ti_(0.4))o_3薄膜铁电性能的影响
机译:在(100)CaF_2和(100)SrTiO_3衬底上生长的外延Pb(Zr,Ti)O_3厚膜的晶体结构和电性能比较
机译:菱形外延PB(Zr,Ti)O_3薄膜中铁电特性的温度和频率依赖性,具有完美(111)取向在CAF_2基板上生长
机译:铁料应变工程的新模式:PBZR1的域结构与性质Xtixo3薄膜
机译:硅上外延PbZr0.45Ti0.55O3薄膜的铁电和压电特性的固有稳定性与晶粒倾斜的关系
机译:射频磁控溅射生长不同Zr / Ti比的外延Pb(Zr,Ti)O-3薄膜的晶体学表征
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性