PbZr_(0.53)Ti_(0.47)O_3/SiO_2/Si复合薄膜的取向生长及铁电性研究

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摘要

利用超薄的ＳｉＯ２做缓冲层，用脉冲激光沉积法在Ｓｉ（１００）上制备了具有良好铁电性的高度（１００）取向的ＰＺＴ薄膜．通过对不同条件下在ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）上生长的ＰＺＴ薄膜的研究，分析了ＳｉＯ２厚度、沉积温度。

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