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付承菊;
武汉理工大学;
铁电薄膜; Sol-gel法; 制备工艺; 阻尼性能; 铁电性能;
机译:溶胶 - 凝胶法制备La和Mn共掺杂BiFeO3-PBTIO3薄膜的铁电行为
机译:溶胶 - 凝胶法制备La和Mn共掺杂BifeO3-PBTIO3薄膜的铁电行为(Vol 85,PG 431,2017)
机译:Bi2O3,TiO2和Bi4Ti3O12籽晶层对通过Sol-Gel法生长的Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜的结构和电性能的影响
机译:溶胶-凝胶模板法制备有序Pb(Zr0.53Ti0.47)O3纳米管阵列及其表征
机译:PLZT [(Pb,La)(Zr,Ti)O3]薄膜的制备方法及其电学和光学性质的研究。
机译:Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜中铁电和光学性质的厚度依赖性
机译:校正:通过溶胶 - 凝胶法制备La和Mn共掺杂BifeO3-PBTIO3薄膜的铁电行为
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3膜,可用于铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器
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