以Si为基底c轴取向生长Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜及其制备方法

摘要

以Si为基底c轴取向生长Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜，包括以下组分：Bi(NO3)2·5H2O、Co(NO3)2·6H2O、钛酸丁酯、乙二醇甲醚、乙酰丙酮；制备方法的步骤为：以Bi4Ti2.95Co0.05O12溶胶为前驱体，在以c轴取向LaNiO3为缓冲层的Si基底上制备Bi4Ti2.95Co0.05O12凝胶薄膜，随后经干燥、热处理，制备具有c轴取向性的Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜；具有优异的导电性、可取代铂和金等贵金属作为Bi4Ti2.95Co0.05O12薄膜电性能测试的底电极的特点。