1064nm脉冲激光诱导Cl2对GaAs（100）表面蚀刻反应动力学

摘要

本文采用超声分子束和角分辨的时间分辨质谱技术，研究１０６４ｎｍ脉冲激光辐照下Ｃｌ２对ＧａＡｓ（１００）单晶表面的蚀刻反应动力学。测量了反应产物的质量分布，速度分面睡窨角分布。通过研究激光能量密度对反应产物产率的影响，认为近红外激光的作用主要是通过加热表面脱附反应产物。同时还发现增加入射Ｃｌ２的平动能和它在表现法线方向的分量可提高反应产物的产率。