机译:SiCl2在Si(100)表面的反应动力学分析
Waseda Univ, Grad Sch Creat Sci & Engn, Shinjuku Ku, 3-4-1 Ohkubo, Tokyo 1698555, Japan|IHI Corp, Mizuho Aeroengine Works, 229 Tonogaya, Mizuho, Tokyo 1901297, Japan;
Waseda Univ, Grad Sch Creat Sci & Engn, Shinjuku Ku, 3-4-1 Ohkubo, Tokyo 1698555, Japan;
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Silicon surface growth; Cluster model; Reaction dynamics; Molecular orbital method;
机译:通过与氯化氢相互作用抑制Si(100)表面外延生长的反应的动态
机译:RbBr(100)和Rbl(100)单晶表面的结构和晶格动力学:张量低能电子衍射分析
机译:XeF_2与氟化Si(100)反应的机理和动力学:表面反应产物的气相离解在无等离子体蚀刻中的可能作用
机译:多氯化Si(111)表面选择性SiCl2蚀刻的第一性原理研究
机译:扫描隧道显微镜和密度泛函理论研究卤素在硅(100)表面的动力学和蚀刻反应。
机译:化学动力学特性:振动激发分子的化学动力学:控制气体和表面上的反应
机译:用于具有部分氟化的si(100)表面的F2反应的从头算起源的动力学:作为可能的蚀刻工具的平移活化