一种原子级平整Sr/Si（100）-2×3再构表面的制备方法

摘要

本发明公开了一种原子级平整Sr/Si(100)‑2×3再构表面的制备方法，属于纳米领域。本发明的一种原子级平整Sr/Si(100)‑2×3再构表面的制备方法，以单晶硅(100)片为衬底，其步骤为：1)衬底清洗；2)去除衬底表面氧化硅，同时制备出Si(100)‑2×1再构表面；3)在具有Si(100)‑2×1再构表面的衬底上制备亚单层金属锶薄膜；4)制备原子级平整Sr/Si(100)‑2×3再构表面。本发明步骤简单，操作方便，获得原子级平整的Sr/Si(100)‑2×3再构表面，并能精确确定Sr/Si(100)‑2×3再构表面上锶的覆盖度为1/6个单原子层。