CCl2F2／H2等离子体用于GaAs的反应离子蚀刻

机译：使用电感耦合等离子体/反应离子蚀刻的GaAs深，垂直蚀刻

机译：C掺杂基础lnGaAs / InP DHBT结构的ECR等离子体蚀刻制备：CH↓（4）/ H↓（2）/ Ar与BCl↓（3）/ N↓（2）等离子体蚀刻化学的比较

机译：用于高纵横比蚀刻熔融二氧化硅，硼硅酸盐和铝硅酸盐玻璃基板的高纵横比蚀刻的电感耦合等离子体反应离子蚀刻工艺

机译：在CF {sub} 2cl {sub} 2 + o} 2和o {sub} 2等离子体中GaAs反应离子蚀刻期间的表面层氧化在GaAs的反应离子蚀刻期间

机译：在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响（使用三氟化甲基），并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。

机译：等离子体层叠InAs / InGaAS量子点 - 孔阱像素检测器用于光谱 - 整形和光电流增强

机译：AlGaAs / InGaAs / GaAs假形象HFET的CH4 / H2 / AR ECR等离子蚀刻

机译：ICl和IBr基化学中的电感耦合等离子体蚀刻：第一部分：Gaas，Gasb和alGaas;等离子体化学和等离子体处理

机译：生产用于蚀刻半导体衬底的三氟化氯的设备包括等离子体反应器，用于在反应器内部形成等离子体的等离子体产生单元和用于将气体引入反应器的气体进料

机译：生产用于蚀刻半导体衬底的三氟化氯的设备包括等离子体反应器，用于在反应器内部形成等离子体的等离子体产生单元和用于将气体引入反应器的气体进料

机译：用于等离子体辅助化学蚀刻的反应气体和用于在边缘上稳定地对基板进行等离子体蚀刻的方法