用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的研究

张显斌; 李琦; 施卫; 赵卫

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用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的研究

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报道了用 1 0 64nm激光脉冲触发电极间隙为 8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果在触发光能为 1 .9mJ ,偏置电压分别为 3kV和 5kV条件下 ,光电导开关分别工作于线性和非线性模式 ,结果表明半绝缘GaAs光电导开关可以吸收 1 0 64nm波长的激光脉冲讨论了半绝缘GaAs材料对 1 0 64nm激光脉冲的非本征吸收机制 ,指出GaAs材料禁带内的EL2深能级和双光子吸收对半绝缘GaAs吸收 1 0

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来源
《光子学报》 |2002年第9期|1081-1085|共5页
作者
张显斌; 李琦; 施卫; 赵卫;
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作者单位

西安理工大学;

中国科学院瞬态光学技术国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类激光技术、微波激射技术;
关键词
激光脉冲触发; 光电导开关; 半绝缘GaAs; EL2能级; 砷化镓; 半导体材料;

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