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张显斌; 施卫; 李琦; 陈二柱; 赵卫;
西安理工大学,应用物理系,陕西,西安,710048;
中国科学院,瞬态光学技术国家重点实验室,陕西,西安,710068;
光电导开关; 半绝缘GaAs; EL2能级; 非本征吸收;
机译:1064 nm激光脉冲触发的高增益横向半绝缘GaAs光电导开关
机译:1.064μm激光脉冲照射的半绝缘GaAs光电导开关的光阻
机译:半绝缘GaAs光电导开关中高增益触发的时变分析
机译:半导体激光器触发的半绝缘GaAs光电导开关的研究
机译:用微波反射技术研究半绝缘砷化镓的光电导效应。
机译:InGaAs / GaAs量子点链结构的光电导弛豫机理
机译:光电导半导体开关:激光Q开关触发和开关触发激光器集成
机译:高增益Gaas光电导半导体开关:测量灯丝速度和降低触发能量
机译:砷化镓产品的制造方法,装置以及半绝缘半绝缘GaAs单晶和半绝缘GaAs单晶
机译:半绝缘GaAs基质及生产GaAs基质的方法
机译:利用AlGaAs的半绝缘层结合上覆的掩膜层制造GaAs器件的方法
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