用1553nm激光脉冲触发GaAs光电导开关的研究(英文)

摘要

用 15 5 3nm飞秒光纤激光器触发半绝缘GaAs光电导开关的实验表明 ,当光电导开关处于 3 33～ 10 3kV/cm的直流偏置电场并被脉冲宽度 2 0 0fs且单脉冲能量 0 2nJ的激光脉冲照射时 ,开关表现为线性工作模式 ,开关输出峰值电压为 0 8mV .分析表明 ,开关对波长为 15 5 3nm触发激光脉冲表现出的弱光电导现象起因于半绝缘GaAs材料EL2深能级的作用 .