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Yamay.; T; 王国平;
MOS集成电路; 工艺; 器件; 设计;
机译:MOS集成电路的制造工艺和器件设计支持技术的开发
机译:CMOS集成电路中基于SCR的器件的片上静电放电保护设计概述
机译:新型具有沟槽栅极的千伏GaN垂直超结MOSFET:器件设计和优化方法
机译:1000伏MOS IC的工艺和器件设计
机译:CMOS技术中的双极性器件表征和设计,用于设计高性能低成本BiCMOS模拟集成电路
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:使用集成电路设计环境的CMOS-MEMS器件集成设计技术研究及其加速度计应用
机译:用于VLsI(超大规模集成)器件的集成电路制造工艺的计算机辅助设计(半导体集成电路的计算机辅助工程)
机译:形成氧化物膜的方法,半导体器件,半导体器件的制造方法,氧化工艺以及使用该氧化物膜的SiC-MOS型半导体器件以及使用该SiC衬底的SiC-MOS集成电路
机译:DEVICE期任意乘法MODULO 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 010009000003c900000002001c00000000000500000009020000000005000000020101000000050000000102ffffff00050000002e0118000000050000000b0200000000050000000c
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