40nm CMOS工艺平台多叉指NMOS器件设计与截止频率提升

摘要

随着CMOS工艺节点的发展,MOS器件截止频率因栅长的缩小而越来越高.而简单MOS器件布局因栅极材料电阻率高,寄生电阻大而不利于截止频率的提升.研究了多叉指MOS器件的沟道宽长比、叉指数及其排布和走线,优化MOS器件的寄生参数.经过版图设计与出版流片,验证了40 nm低功耗工艺平台上截止频率可达217 GHz,在77 GHz频率增益超过10 dB,是CMOS防撞系统射频前端芯片的工艺平台选择之一.